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電子半導體在生產(chǎn)過程中會產(chǎn)生重金屬廢水和清洗污水，這些廢水的直接排放會對周圍環(huán)境造成一定污染。在電子產(chǎn)品及有關金屬制品的生產(chǎn)制造和回收運用全過程中，造成大量的電子廢水。

電子廢水的成份不一樣，所含污染物的類型和內容也有差別，在其中基礎都都帶有鉻、銅、鎳、鎘、鋅、鉛、汞等重金屬離子離離子、氰化物、一些酸性物質和堿性物質。廢水中的重金屬離子具備毒性長，不可以生物降解等特性，并且可以在生物中富集，使生物功能紊亂，對生態(tài)環(huán)境和人體健康造成嚴重危害。

因此，針對電子半導體廢水處理，需根據(jù)每個生產(chǎn)企業(yè)的具體情況和當?shù)毓I(yè)廢水的排放標準，建設針對性需求的電子半導體廢水處理系統(tǒng)工程，才能保證廢水處理站建成后高效穩(wěn)定運行。

針對電子半導體廢水處理，中贏環(huán)保采用由活性污泥法與膜分離技術相結合的新型水處理技術。膜的種類繁多，按分離機理進行分類，有反應膜、離子交換膜、滲透膜等；按膜的性質分類，有天然膜（生物膜）和合成膜（有機膜和無機膜），按膜的結構型分類，有平板型、管型、螺旋型及中控纖維型等。保持生化池高污泥負荷，并可延長污泥的世代周期，提高生化的處理效果，從而實現(xiàn)穩(wěn)定達標排放的目的。對于要求嚴格的電子半導體生產(chǎn)企業(yè)，依斯倍環(huán)保采用電子半導體廢水深度處理技術，將電子半導體廢水深度處理后回用于生產(chǎn)，從而實現(xiàn)化電子半導體廢水零排放。

核心工藝：DTRO、MBR蒸發(fā)、除鹽（電滲析系統(tǒng)、RO系統(tǒng)）

達標排放：調節(jié)系統(tǒng)、物化預處理系統(tǒng)、生化系統(tǒng)、MBR系統(tǒng)、離子交換

中水回用：調節(jié)系統(tǒng)、過濾系統(tǒng)、混凝絮凝、蒸發(fā)系統(tǒng)、陶瓷膜、生化、氣浮、RO、超濾

零排放：調節(jié)系統(tǒng)、物化預處理系統(tǒng)、生化系統(tǒng)、MBR系統(tǒng)、離子交換、超濾、反滲透、蒸發(fā)